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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5821H

Produktdetails

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Beschreibung: Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 μA @ 30 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
500 mV @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
200pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-201AD
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C bis 125 °C
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
30 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5821
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 μA @ 30 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
500 mV @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
200pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-201AD
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C bis 125 °C
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
30 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5821
1N5821H
Diode 30 V 3A durch Loch DO-201AD