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Beschreibung: DIODE SILIZIUM CARBID 650V 12A 5DFN

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V bei 12 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
380pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
12A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC2
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V bei 12 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
380pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
12A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC2
WNSC2D12650TJ
Diode 650 V 12A Oberflächenbefestigung 5-DFN (8x8)

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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