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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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E4D02120E-TR

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Beschreibung: DIODE SIL CARB 1,2KV 8A TO252-2

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
153 pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252-2
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
153 pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252-2
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
E4D02120E-TR
Diode 1200 V 8A Oberflächenbefestigung TO-252-2