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Beschreibung: Diode Schottky 20V 1A MELF

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 μA @ 20 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
750 mV bei 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
110pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
MELF
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C bis 125°C
Packung / Gehäuse:
DO-213AB, MELF
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
20 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
LL5817
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 μA @ 20 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
750 mV bei 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
110pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
MELF
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C bis 125°C
Packung / Gehäuse:
DO-213AB, MELF
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
20 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
LL5817
LL5817 L0G
Diode 20 V 1A Oberflächenbefestigung MELF

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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