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Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsberechnung der Anwendungsberechtigung nicht erfüllt sind.

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Beschreibung: 650 V POWER SIC GEN 3 FUSSION PIN

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	85 µA bei 650 V	Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.5 V @ 16 A	Paket:	Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:	- -	Kapazität @ Vr, F:	700 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung	Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C	Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	16A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	85 µA bei 650 V
Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.5 V @ 16 A
Paket:	Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:	- -
Kapazität @ Vr, F:	700 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	16A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)