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Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte

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Beschreibung: 650 V POWER SIC GEN 3 FUSSION PIN

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	25 μA @ 650 V	Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.5 V @ 4 A	Paket:	Schlauch
Serie:	- -	Kapazität @ Vr, F:	175pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-220AC	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung	Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C	Packung / Gehäuse:	TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	4a
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	25 μA @ 650 V
Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.5 V @ 4 A
Paket:	Schlauch
Serie:	- -
Kapazität @ Vr, F:	175pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:	TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	4a
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)