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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BYG21MH

Produktdetails

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Beschreibung: Die Ausrüstung wird von der Anlage erzeugt.

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 1,5 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
13pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-214AC (SMA)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
120 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Lawine
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-214AC, SMA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.5A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
BYG21
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 1,5 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
13pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-214AC (SMA)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
120 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Lawine
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-214AC, SMA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.5A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
BYG21
BYG21MH
Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-1000 V 1.5A