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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N485BTR

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 200V 200MA DO35

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 nA @ 175 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Mfr:
Einheitlich
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
1N485
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 nA @ 175 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Mfr:
Einheitlich
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
1N485
1N485BTR
Diode 200 V 200mA durch Loch DO-35