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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N5809

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 100V 3A axiale

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 4 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/477
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
B, Achs
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5809
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 4 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/477
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
B, Achs
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5809
JANTX1N5809
Diode 100 V 3A durch Loch B, axiale