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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARBIDE 650V 10A bis 263

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	70 μA @ 650 V	Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1,7 V @ 10 A	Paket:	Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:	- -	Kapazität @ Vr, F:	364 pF @ 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-263	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Panjit International Inc.	Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C	Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	10A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)	Basisproduktnummer:	PCDB1065

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	70 μA @ 650 V
Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1,7 V @ 10 A
Paket:	Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:	- -
Kapazität @ Vr, F:	364 pF @ 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-263
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Panjit International Inc.
Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	10A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:	PCDB1065