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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > VS-20ETS12THM3
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Beschreibung: Diode GEN PURP 1,2KV 20A bis 220AC

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
20ETS12
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
20ETS12
VS-20ETS12THM3
Diode 1200 V 20A durch das Loch TO-220AC

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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