Produktdetails
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Beschreibung: Schottky-Diode X3-DFN0603-2 T und R
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
µA 4 @ 30 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
370 mV @ 10 mA |
Paket: |
Band und Rolle (TR) |
Serie: |
Automobilindustrie, AEC-Q101 |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
X3-DFN0603-2 |
Mfr: |
Dioden eingebunden |
Technologie: |
Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
0201 (0603 metrisch) |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
30 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
100 mA |
Geschwindigkeit: |
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
µA 4 @ 30 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
370 mV @ 10 mA |
Paket: |
Band und Rolle (TR) |
Serie: |
Automobilindustrie, AEC-Q101 |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
X3-DFN0603-2 |
Mfr: |
Dioden eingebunden |
Technologie: |
Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
0201 (0603 metrisch) |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
30 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
100 mA |
Geschwindigkeit: |
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit |