Produktdetails
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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 16A bis 220-1
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
200 μA @ 650 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1,7 V bei 16 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
CoolSiC™+ |
Kapazität @ Vr, F: |
470pF @ 1V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Der Ausdruck "System" ist in der Liste aufgeführt. |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
Infineon Technologies |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
16A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
IDH16G65 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
200 μA @ 650 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1,7 V bei 16 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
CoolSiC™+ |
Kapazität @ Vr, F: |
470pF @ 1V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Der Ausdruck "System" ist in der Liste aufgeführt. |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
Infineon Technologies |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
16A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
IDH16G65 |