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SBR0240LPWQ-7B-52

Produktdetails

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Beschreibung: SBR Diode X1-DFN1006-2/SWP T&R 1

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
590 mV @ 200 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
8pF @ 5V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
X1-DFN1006-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3,8 ns
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Superbarriere
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
0402 (1006 metrisch)
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
40 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
590 mV @ 200 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
8pF @ 5V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
X1-DFN1006-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3,8 ns
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Superbarriere
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
0402 (1006 metrisch)
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
40 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
SBR0240LPWQ-7B-52
Diode 40 V 200 mA Oberflächenhalter X1-DFN1006-2