Produktdetails
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Beschreibung: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Veraltet |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
23A (DC) |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
SiC Schottky MPSTM |
Diodenkonfiguration: |
1 Paar gemeinsame Kathode |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-247-3 |
Mfr: |
GeneSiC-Halbleiter |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Packung / Gehäuse: |
TO-247-3 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
Gewichtung |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Veraltet |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
23A (DC) |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
SiC Schottky MPSTM |
Diodenkonfiguration: |
1 Paar gemeinsame Kathode |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-247-3 |
Mfr: |
GeneSiC-Halbleiter |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Packung / Gehäuse: |
TO-247-3 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
Gewichtung |