Produktdetails
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Beschreibung: DIODE MOD SCHOTTKY 650V 209A SOT227
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Ausgeschaltet bei Digi-Key |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
209A (DC) |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1,8 V @ 50 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
SiC Schottky MPSTM |
Diodenkonfiguration: |
2 Unabhängig |
Lieferanten-Gerätepaket: |
SOT-227 |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
GeneSiC-Halbleiter |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Packung / Gehäuse: |
SOT-227-4, miniBLOC |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Art der Montage: |
Aufbau des Fahrgestells |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
GC2X100 |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
20 μA @ 650 V |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Ausgeschaltet bei Digi-Key |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
209A (DC) |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1,8 V @ 50 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
SiC Schottky MPSTM |
Diodenkonfiguration: |
2 Unabhängig |
Lieferanten-Gerätepaket: |
SOT-227 |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
GeneSiC-Halbleiter |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Packung / Gehäuse: |
SOT-227-4, miniBLOC |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Art der Montage: |
Aufbau des Fahrgestells |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
GC2X100 |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
20 μA @ 650 V |