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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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S3D35065D1

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 35A bis 247AD

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
45 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 35 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
2000 pF bei 0 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247AD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SMC-Diodenlösungen
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
35A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
S3D35065
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
45 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 35 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
2000 pF bei 0 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247AD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SMC-Diodenlösungen
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
35A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
S3D35065
S3D35065D1
Diode 650 V 35A durch das Loch TO-247AD