Produktdetails
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Beschreibung: Diode SIL CARB 1,2 KV 8A TO220-2L
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
µA 200 @ 1200 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.75 V @ 8 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
538 pF @ 1 V, 100 kHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-220-2L |
Mfr: |
Einheitlich |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
1200 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
8A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
FFSP08120 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
µA 200 @ 1200 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.75 V @ 8 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
538 pF @ 1 V, 100 kHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-220-2L |
Mfr: |
Einheitlich |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
1200 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
8A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
FFSP08120 |