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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 12A bis 220FM

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 12 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
600 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220FM
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Rohm Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
12A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
SCS312
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 12 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
600 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220FM
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Rohm Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
12A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
SCS312
SCS312AMC
Diode 650 V 12A durch das Loch TO-220FM

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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