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Beschreibung: Diode GP 1,2KV 85A Leistung

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 85 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
PowIRtabTM
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
190 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Wird nicht verwendet
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
85A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
85EPF12
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 85 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
PowIRtabTM
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
190 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Wird nicht verwendet
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
85A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
85EPF12
VS-85EFF12
Diode 1200 V 85A Chassis Mount PowIRtabTM

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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