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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > NTE5865
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Beschreibung: Diode GEN PURP 200V 30A DO4

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 mA @ 200 V
Art der Montage:
Stäubchen
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 30 A
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-4
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
DO-203AA, DO-4, Stud
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 mA @ 200 V
Art der Montage:
Stäubchen
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 30 A
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
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Mfr:
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Technologie:
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Packung / Gehäuse:
DO-203AA, DO-4, Stud
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE5865
Diode 200 V 30A Stangmontage DO-4

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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