Produktdetails
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Veraltet |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
250A |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
920 mV bei 250 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Diodenkonfiguration: |
1 Paar gemeinsame Anode |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Drei Türme |
Mfr: |
GeneSiC-Halbleiter |
Technologie: |
Schottky |
Packung / Gehäuse: |
Drei Türme |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
200 V |
Art der Montage: |
Aufbau des Fahrgestells |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
1 mA @ 200 V |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Veraltet |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
250A |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
920 mV bei 250 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Diodenkonfiguration: |
1 Paar gemeinsame Anode |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Drei Türme |
Mfr: |
GeneSiC-Halbleiter |
Technologie: |
Schottky |
Packung / Gehäuse: |
Drei Türme |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
200 V |
Art der Montage: |
Aufbau des Fahrgestells |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
1 mA @ 200 V |