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Beschreibung: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
310 pF bei 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO220-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
310 pF bei 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO220-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
IDT08S60C
Diode 600 V 8A durch das Loch PG-TO220-2

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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