Produktdetails
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Beschreibung: Diode GEN PURP 800V 3A axiale
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Nicht für neue Designs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
10 μA @ 800 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1 V @ 3 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Akziale |
Mfr: |
Einheitlich |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65 °C bis 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
DO-201AA, DO-27, axial |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
800 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
3A |
Geschwindigkeit: |
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
1N5407 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Nicht für neue Designs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
10 μA @ 800 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1 V @ 3 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Akziale |
Mfr: |
Einheitlich |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65 °C bis 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
DO-201AA, DO-27, axial |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
800 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
3A |
Geschwindigkeit: |
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
1N5407 |