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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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TRS6A65F,S1Q

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARBIDE 650V 6A bis 220F

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
30 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 6 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
22 pF @ 650 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220F-2L
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
6A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
TRS6A65
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
30 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 6 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
22 pF @ 650 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220F-2L
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
6A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
TRS6A65
TRS6A65F,S1Q
Diode 650 V 6A durch das Loch TO-220F-2L