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IDK02G120C5XTMA1
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IDK02G120C5XTMA1

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIC 1,2 KV 11,8A TO263-1

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
18 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.65 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Kapazität @ Vr, F:
182pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11,8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
IDK02G120
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
18 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.65 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Kapazität @ Vr, F:
182pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11,8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
IDK02G120
IDK02G120C5XTMA1
Diode 1200 V 11.8A Oberflächenbefestigung PG-TO263-2-1

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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