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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4448TAP

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 75 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
720 mV @ 5 mA
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Band u. Kasten (TB)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
8 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
75 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
150 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
1N4448
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 75 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
720 mV @ 5 mA
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Band u. Kasten (TB)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
8 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
75 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
150 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
1N4448
1N4448TAP
Diode 75 V 150mA durch das Loch DO-35 (DO-204AH)