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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 4A TO220-2L

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
20 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 4 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-2L
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
4a
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
TRS4E65
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
20 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 4 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-2L
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
4a
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
TRS4E65
TRS4E65F, S1Q
Diode 650 V 4A Durchgangsloch TO-220-2L

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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