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Beschreibung: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Letztes Mal kaufen
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schlauch
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
480pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
I2PAK
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
STMikroelektronik
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Städte und Gemeinden
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
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Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schlauch
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
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480pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
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Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
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Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Städte und Gemeinden
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Diode 650 V 10A durch Loch I2PAK

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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