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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MBRT600200R

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SCHOTTKY 200V 300A 3 Türme

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
300A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
920 mV @ 300 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Anode
Lieferanten-Gerätepaket:
Drei Türme
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Schottky
Packung / Gehäuse:
Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MBRT600200
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 mA @ 200 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
300A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
920 mV @ 300 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Anode
Lieferanten-Gerätepaket:
Drei Türme
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Schottky
Packung / Gehäuse:
Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MBRT600200
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 mA @ 200 V
MBRT600200R
Diodenarray 1 Paar Gemeinsame Anode 200 V 300 A Fahrwerk Mount Three Tower