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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht.

Produktdetails

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Beschreibung: Diodemodul 1,2 KV 600A 3 Türme

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
600A (Gleichstrom)
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 600 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
Drei Türme
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
Modul 3-SMD
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 μA @ 600 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
600A (Gleichstrom)
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 600 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
Drei Türme
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
Modul 3-SMD
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 μA @ 600 V
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht.
Diodenarray 1 Paar Gemeinsame Kathode 1200 V 600A (DC) Fahrgestellmontage 3-SMD-Modul