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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
200A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 200 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:
Drei Türme
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MSRT200
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
200A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 200 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:
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Technologie:
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Packung / Gehäuse:
Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
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Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MSRT200
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
Dioden-Array 1 Pair-Serie-Verbindung 1200 V 200A Fahrwerk Mount Three Tower

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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