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Beschreibung: Diodemodul 35V 200A 2Tower

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
150A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
650 mV @ 150 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
Zwillingsturm
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Schottky
Packung / Gehäuse:
Zwillingsturm
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
35 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MBR30035
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
8 mA @ 20 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
150A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
650 mV @ 150 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
Zwillingsturm
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Schottky
Packung / Gehäuse:
Zwillingsturm
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
35 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MBR30035
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
8 mA @ 20 V
MBR30035CT
Diodenarray 1 Paar Gemeinsame Kathode 35 V 150 A Fahrwerk Mount Twin Tower

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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