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Beschreibung: Diode-Generator mit 1,6 KV 200A-Drei-Turm

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):	200A	Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.1 V @ 200 A	Paket:	BULK
Serie:	- -	Diodenkonfiguration:	1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:	Drei Türme	Mfr:	GeneSiC-Halbleiter
Technologie:	Standard	Packung / Gehäuse:	Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1600 V	Art der Montage:	Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:	Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)	Basisproduktnummer:	MSRT200
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	10 μA @ 1600 V

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):	200A
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.1 V @ 200 A
Paket:	BULK
Serie:	- -
Diodenkonfiguration:	1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:	Drei Türme
Mfr:	GeneSiC-Halbleiter
Technologie:	Standard
Packung / Gehäuse:	Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1600 V
Art der Montage:	Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:	Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:	MSRT200
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	10 μA @ 1600 V