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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
100A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 100 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:
Drei Türme
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MSRT100
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
100A
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 100 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:
Drei Türme
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Drei Türme
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MSRT100
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
Dioden-Array 1 Pair-Serie-Verbindung 1200 V 100A Chassis Mount drei Turm

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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