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Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
200 µA @ 1200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.75 V @ 50 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
3691pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package:
TO-247-2
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
onsemi
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1200 V
Current - Average Rectified (Io):
53A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
200 µA @ 1200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.75 V @ 50 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
3691pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package:
TO-247-2
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
onsemi
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1200 V
Current - Average Rectified (Io):
53A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
NDSH50120C
Diode 1200 V 53A durch Loch TO-247-2

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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