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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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V1F22HM3/i

Produktdetails

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Beschreibung: Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mehr als 20 mm verknüpft.

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
35 μA @ 200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
880 mV @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
75pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-219AB (SMF)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
DO-219AB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
35 μA @ 200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
880 mV @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
75pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-219AB (SMF)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
DO-219AB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
V1F22HM3/i
Diode 200 V 1A Oberflächenhalter DO-219AB (SMF)