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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1KV 1A F1A

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Rumpfstation
Kapazität @ Vr, F:
7.6pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
F1A (DO219AA)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
1.6 μs
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-219AA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Rumpfstation
Kapazität @ Vr, F:
7.6pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
F1A (DO219AA)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
1.6 μs
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-219AA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
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Diode 1000 V 1A Oberflächenhalter F1A (DO219AA)