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Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.25 V @ 200 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
50 ns
Mfr:
Einheitlich
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
120 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
BAV19
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.25 V @ 200 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
50 ns
Mfr:
Einheitlich
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
120 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
BAV19
BAV19TR
Diode 120 V 200 mA durch Loch DO-35

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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