Produktdetails
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Beschreibung: SBR DIODE POWERDI5060-8 T&R 2,5 K
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
3A |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
600 mV @ 3 A |
Paket: |
Band und Rolle (TR) |
Serie: |
Automobilindustrie, AEC-Q101 |
Diodenkonfiguration: |
2 Unabhängig |
Lieferanten-Gerätepaket: |
PowerDI5060-8 (Typ D) |
Mfr: |
Dioden eingebunden |
Technologie: |
Superbarriere |
Packung / Gehäuse: |
8-PowerTDFN |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
60 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Geschwindigkeit: |
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
SBR3U60 |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
100 μA @ 60 V |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
3A |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
600 mV @ 3 A |
Paket: |
Band und Rolle (TR) |
Serie: |
Automobilindustrie, AEC-Q101 |
Diodenkonfiguration: |
2 Unabhängig |
Lieferanten-Gerätepaket: |
PowerDI5060-8 (Typ D) |
Mfr: |
Dioden eingebunden |
Technologie: |
Superbarriere |
Packung / Gehäuse: |
8-PowerTDFN |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
60 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Geschwindigkeit: |
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
SBR3U60 |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
100 μA @ 60 V |