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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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IDK10G65C5XTMA2

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 10A bis 263-2

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 10 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Kapazität @ Vr, F:
300 pF bei 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO263-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
IDK10G65
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 10 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Kapazität @ Vr, F:
300 pF bei 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO263-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
IDK10G65
IDK10G65C5XTMA2
Diode 650 V 10A Oberflächenhalter PG-TO263-2