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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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V1FM12-M3/I

Produktdetails

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Beschreibung: Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
65 μA @ 120 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
870 mV @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
eSMP®, TMBS®
Kapazität @ Vr, F:
95pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-219AB (SMF)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
DO-219AB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
120 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
V1FM12
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
65 μA @ 120 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
870 mV @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
eSMP®, TMBS®
Kapazität @ Vr, F:
95pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-219AB (SMF)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
DO-219AB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
120 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
V1FM12
V1FM12-M3/I
Diode 120 V 1A Oberflächenhalter DO-219AB (SMF)