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Beschreibung: DIODE GP 85V 215MA DFN1006-2L

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,25 V bei 150 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3 μs
Mfr:
Kleinstunternehmen
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
0402 (1006 metrisch)
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
85 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
215 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
BAS116
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,25 V bei 150 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3 μs
Mfr:
Kleinstunternehmen
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
0402 (1006 metrisch)
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
85 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
215 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
BAS116
BAS116L2B-TP
Diode 85 V 215 mA Oberflächenhalter DFN1006-2L

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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