Produktdetails
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Beschreibung: Diode GEN PURP 10KV 25MA axiale
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
1 µA @ 10000 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
30 V @ 25 mA |
Paket: |
Tasche |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Akziale |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
Akziale |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
10000 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
25 mA |
Geschwindigkeit: |
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
1 µA @ 10000 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
30 V @ 25 mA |
Paket: |
Tasche |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Akziale |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
Akziale |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
10000 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
25 mA |
Geschwindigkeit: |
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit |