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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > BAW75-TAP
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 25V 300MA DO35

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 30 mA
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Band u. Kasten (TB)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technology:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
25 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
300 mA
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
BAW75
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 30 mA
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Band u. Kasten (TB)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technology:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
25 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
300 mA
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
BAW75
BAW75-TAP
Diode 25 V 300 mA durch das Loch DO-35 (DO-204AH)

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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