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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N4154

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 35V 100MA DO35

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 30 mA
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
35 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
100 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 30 mA
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
35 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
100 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
1N4154
Diode 35 V 100 mA durch Loch DO-35