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HN2S02FU ((TE85L,F)

Produktdetails

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Beschreibung: Schottische Barriere für kleine Signale

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
100 mA
Betriebstemperatur - Kreuzung:
125°C (maximal)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
600 mV @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
3 Unabhängig
Lieferanten-Gerätepaket:
US6
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Technologie:
Schottky
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
HN2S02
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 40 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
100 mA
Betriebstemperatur - Kreuzung:
125°C (maximal)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
600 mV @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
3 Unabhängig
Lieferanten-Gerätepaket:
US6
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Technologie:
Schottky
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
HN2S02
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 40 V
HN2S02FU ((TE85L,F)
Diodenarray 3 Unabhängige 40 V 100 mA Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363