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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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HERA808G

Produktdetails

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Beschreibung: Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
55pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
80 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
HERA808
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
55pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
80 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
HERA808
HERA808G
Diode 1000 V 8A durch das Loch TO-220AC