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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Erzeugnisse.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 1,2KV 65A bis 247-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	µA 200 @ 1200 V	Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.8 V @ 30 A	Paket:	Schlauch
Serie:	- -	Kapazität @ Vr, F:	141pF @ 400V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-247-3	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Mikrochiptechnik	Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C	Packung / Gehäuse:	TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1200 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	65A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)	Basisproduktnummer:	Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	µA 200 @ 1200 V
Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.8 V @ 30 A
Paket:	Schlauch
Serie:	- -
Kapazität @ Vr, F:	141pF @ 400V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-247-3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Mikrochiptechnik
Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:	TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	65A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:	Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.