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Beschreibung: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 3 A
Paket:
Schlauch
Serie:
CoolSiC™+
Kapazität @ Vr, F:
100 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Der Ausdruck "System" ist in der Liste aufgeführt.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
IDH03G65
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 3 A
Paket:
Schlauch
Serie:
CoolSiC™+
Kapazität @ Vr, F:
100 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Der Ausdruck "System" ist in der Liste aufgeführt.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
IDH03G65
Einheit für die Erfassung von Daten
Diode 650 V 3A durch das Loch PG-TO220-2-1

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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